- 엑시노스9825 쓰로틀링 테스트 (갤럭시 노트10)

https://www.computerbase.de/2019-09/samsung-galaxy-note-10-exynos-9825-dauerlast/#diagramm-cpu-throttle-test-geekbench-4-single-core-total

 

 

- GPU : GFX벤치 맨해튼 3.1 오프스크린

엑시노스9820 대비 결과 +5.8%

클럭 상승치 +7.4%(702 → 754MHz)에 비해 다소 낮음.

 

12회 실행까지 성능 저하 없음.

엑시노스9820보다 엄청 개선됐고, 스냅855하고 비슷한 쓰로틀링 특성.

(말리로 adreno에 비비는 날이 오다니......)

 

 

- CPU : 긱벤치4

엑시노스9820에 비해 초반에는 다소 개선이 보이나 후반부까지 포함하면 크게 나아졌다 보기 어려움.

 

 

- 쓰로틀링 테스트 결과로 보면 9820 → 9825 에서 왜 GPU 클럭만 올리고 CPU 클럭은 거의 그대로였는지 납득이 됨.

제품(노트10)의 쿨링 개선 효과로 보기에도 CPU와 GPU 결과가 갈려서 GPU는 공정, 설계에 변경이 있고, CPU는 그게 없는거라고 볼 수 밖에 없음.

 

GPU 블럭에 변경이 있는거 같은데 그게 바뀐 공정에 맞추는데 그친건지, 그 외에 추가적인 전력 최적화가 들어간건지는 불명. (드라이버 차이도 없는듯.)

지금까지 자료로 보면 8LPP → 7LPP에서 성능 향상은 5% 정도인데

클럭은 7.5% 오르고, 최대성능은 5.8% 오르고 쓰로틀링 하에서 성능은 30% 이상 오르고.

9825 공정이 삼성이 기존에 언급한 7LPP와 다르다는 썰도 있는 마당에 저 정도의 성능 개선은 공정만으로는 어려울 것이고 (5433 A57 경우처럼) 설계상 전력 최적화같은 추가 변경이 있을듯.

 

CPU는 일단 M4 블록은 거의 변경이 없어보이고, A75 블록은 클럭이 오르긴 했는데 벤치에서 확인할 방법이 없으니 변경이 있는지 불명.

정황상 클럭이 안 올라간 M4, A55 블록이 변경이 (거의) 없다고 보는게 맞을듯.

 

 

 

Posted by gamma0burst Trackback 0 : Comment 3

댓글을 달아 주세요

  1. addr | edit/del | reply 2019.09.23 13:18

    비밀댓글입니다

    • addr | edit/del Favicon of https://gamma0burst.tistory.com BlogIcon gamma0burst 2019.09.23 23:17 신고

      그 핀피치에 셀 높이면 메탈 피치는 47nm 정도?
      7nm에 듀얼 fin 적용한다더니 여기에는 계속 3-fin 인가보네요.
      8LPP와 비교하면 핀 피치는 제법 줄었고 메탈 피치는 거의 차이가 없네요.
      그냥 같은 숫자로 퉁칠지도?

      면적을 보면
      EUV는 적용 우선순위가 contact-via-메탈이고 7LPP도 아닌 마당에 EUV 적용이 백엔드까지 가지는 않았을 것이니 EUV 효과로 면적이 줄어들지는 않았을듯 하고요.
      핀피치가 줄었으면 면적이 줄어들 법도 한데 거의 그대로인거 보면 8.75T 정도로 맞춰서 면적 그대로 유지되게 했을지도?
      그러려면 3-fin에 그냥 n-fin, p-fin 사이를 늘렸거나, 인텔처럼 n-fin 5개, p-fin 4개로 했든가, 아님 4-fin 이든가 등 경우의 수가 몇 가지 있긴한데
      삼성이 발표한거보면 1세대 7nm에 4세대 핀 적용이라는데 이미지를 보면 3-fin 이거든요.

      핀 개수가 그대로면 사실 성능 올릴만한게 없는거고 그럴거면 굳이 핀 피치 줄일 필요가 없을거란 말이지요.
      TR 구조상 성능 향상할만한게 있다는 얘기가 돼야되는데 핀 높이를 올렸을까요.

  2. addr | edit/del | reply Rhdkf 2019.09.23 14:42

    엑시 발열이나 어찌 했으면......