스냅드래곤8 Elite(SM8750) 전력 예측 검증.

 

 

- 이전에 스냅드래곤X 엘리트(Snapdragon X Elite) 발표 자료와 알려진 정보를 근거로 스냅드래곤8 Elite(당시 SD8 Gen4, SM8750) 전력을 추정했었음.

(스냅드래곤8 Gen4 추정 긱벤치6 결과 분석. (Snapdragon8 Gen4, SM8750))

스냅드래곤8 Elite가 공식 발표되었고 성능-전력 그래프도 나와서 이전 예측과 얼마나 다른지 확인해봄.

 

 

- 발표 슬라이드

성능-전력 그래프를 공개하기는 했는데...

 

스냅X 엘리트 발표시 그래프와 비교하면 차이가 있음.

스냅X 엘리트 피크 전력을 보면 스냅X 발표시 14W 정도인데 이번 발표에서 비교군으로 나온 스냅X(1st gen Oryon)은 16W 이상으로 되어있음.

스냅X 발표 때 줄였거나 스냅8 엘리트 발표 때 2세대 오라이온개선을 크게 보이려고 스냅X 전력을 과장했거나 측정오차 정도로 해석할 수 밖에 없는데 어느 쪽이든 이런 식으로 데이터에 일관성이 없으면 신뢰도가 떨어짐.

 

(당연한 얘기겠지만) 긱벤치6 점수 기준인데 1세대 오라이온보다 점수가 높은걸봐서는 빅코어로 쓰인 피닉스-L(Phoenix-L) 코어로 보임.

 

 

- 전력 예측 검증

고클럭 구간에서 15%정도, 저클럭 구간에서 20%정도 예측치보다 전력이 낮게 나왔음.

당시에 최대 전력은 7.34W로 보고 가능한 최대 클럭은 4GHz 정도로 예측했는데 같은 기준이면 4.2GHz 정도 가능함.

발표 그래프의 피크 클럭/전력은 4.32GHz/8.24W

 

이 차이는 N3E 공정이 생각보다 전력 감소가 컸다고 보기는 어렵고 코어 리비전의 효과로 봐야할듯.

(계산에 적용한 전력 감소 -30%가 발표값 중 최대값을 사용한 것임.)

 

공정을 통해 추가적인 전력 감소 효과로 보려면 1세대는 고밀도 라이브러리를 쓰고 2세대는 고성능 라이브러리를 쓰면서 면적을 희생하고 전성비를 올렸다고 해석해야함.

실제 코어 면적을 비교해보면 2세대에서 12% 감소했는데 둘 다 SRAM 비중이 33% 정도임.

TSMC는 5nm부터 3nm까지 SRAM 밀도는 거의 변화가 없어서 로직 면적 감소로만 전체 면적을 감소시킨거임.

계산해보면 로직 밀도가 24% 정도 올랐는데 여기에 제일 가까운게 N3E 2-2 fin 구성임. (밀도 +31%)

HD(3-2 fin), HP(2-1 fin) 어느 쪽도 아니라서 라이브러리 변경을 통한 추가 전력 감소가 있다고 보기 어려움.

 

1세대 오라이온 리비전이 r1p1인데 2세대 오라이온을 긱벤치 시스템 정보로 확인해보면 피닉스-L(Phoenix-L)이 r3p4이고 피닉스-M(Phoenix-M)은 r3p0로 추측됨.

Cortex-A15가 코어 리비전을 통해 전력을 줄였다는 ARM 발표가 있긴한데 실제 공개된 테스트로 확인된 케이스가 없어서 검증되지는 않았음. (설계업체 내부 테스트 결과는 있겠지만...)

1세대, 2세대 오라이언 간 전성비 차이 원인이 코어 리비전일 가능성은 높아보이지만 정확한 원인은 테스트나 분석 결과가 본격적으로 나와봐야 알 수 있을듯.