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Forward2

반도체 강좌. (6) PN접합 (PN junction) 수식편. (1) Built-in Potential 계산. - 열평형 상태. n타입에서의 EF-Ei 와 p타입의 EF-Ei 를 더한 값입니다. 이 둘을 더하면, - 비평형 상태.(Forward, Reverse bias) 원래 식에서 걸어준 추가 전압양만큼 추가해주면 됩니다. 그만큼 추가 전압만큼 에너지 밴드가 이동하니까요. Forward bias에서는 포텐셜 배리어가 낮아지니 전압을 빼주고, Reverse bias에서는 포텐셜 배리어가 높아지니 전압을 더해준다고 이해하면 됩니다. 기본적으로 p타입쪽 에너지 준위가 높고요. Forward bias 크기가 커지면 p타입의 에너지 준위가 n타입보다 낮아지는 경우도 발생하겠지요. (좌 : Forward bias, 우 : Reverse bias) (2) Built-in Vo.. 2013. 4. 15.
반도체 강좌. (5) PN접합 (PN junction) 개념편. 4편쓴지 100일만이네요. 이번에 다룰 내용은 PN접합(이하 pn정션)입니다. 모스펫과 함께 반도체 공학에서 가장 중요한 부분. 여기서는 대략적인 개념만 잡고, 구체적인 계산, 수식은 다음 편에서 다루겠습니다. 관련된 내용이 많기때문에 내용 전개에 두서가 없을 수 있습니다. 양해바랍니다. (1) PN접합. (PN junction) 기본은 간단합니다. P타입 반도체와 N타입 반도체를 붙여놓은겁니다. (2) 공핍영역. (Depletion region, Space Charge Region) pn정션에는 공핍영역이 존재합니다. p타입 반도체의 Majority carrier(이하 머조리티 캐리어)는 홀이고, n타입 반도체의 Majority carrier는 전자지요. 이 둘을 붙여놓으면 전자와 홀의 농도차이가 발생.. 2013. 4. 14.