애플 A9 논란에 관하여. (2) 그래도 삼성?

 

- A9 공정 관련 포스팅 이후 추가 정보를 간단히 보려고 합니다.

(링크 : 애플 A9 논란에 관하여. (삼성, TSMC 공정 비교.))

사실 이게 안 다룰 수도 없지만, 다루기도 애매한 주제입니다.

뭘해도 결국 결과론적인 해석 밖에 할 수 없고, 설령 뭔가 알고 얘기를 한다해도 근거를 대다보면 결과론적 해석으로 보이게 됩니다.

한다고 해서 딱히 이득이 있는 것도 아니고, 공격당할 여지만 만드는 꼴.

이쪽에서는 보기드문 파운드리 이원화 사례라서 그냥 넘어가기도 그렇고요.

 

 

- A9 제조사 판별앱 현재 결과.

(링크 : http://demo.hiraku.tw/CPUIdentifier/)

 

현재 결과는 약 26만건이며 제조사 비율은 삼성 : TSMC = 7 : 3 을 향해 가고 있습니다.

이렇게되면 이전 포스팅에서 했던, '원래 TSMC를 기준으로 설계했다.'는 가정은 힘을 잃습니다.

'TSMC를 염두해도 설계한 것은 맞지만 TSMC가 워낙 거하게 뻥을 쳐서 실제 공급량이 턱없이 부족해지고 삼성 물량이 더 많아졌다.' 라는 식의 해석도 가능하기때문에 가정이 완전히 부정되는건 아니지만 가능성이 떨어지는건 사실입니다.

 

 

- 긱벤치3 시스템 정보 A9 코드.

캡쳐같은건 생략하고 결론만 말하면 이렇습니다.

 

아이폰6S 플러스

삼성 : N66AP

TSMC : N66MAP

 

아이폰6S

삼성 : N71AP

TSMC : N71MAP

 

그렇다면 기존에는 어떠했는지가 궁금해지지요.

참고할만한 사이트가 있습니다.

(링크 : https://www.theiphonewiki.com/wiki/Category:Devices)

기존 패턴으로보면 M이 들어간 버전이 마이너합니다.

A9도 기존 패턴을 따를 것이고, 그렇다면 삼성제가 메인이고 TSMC제가 서브라고 해석할 수 있습니다.

위에서 나온 삼성 , TSMC 비율과도 일치하는 해석입니다.

 

가설이기는 합니다만 이런식으로 교차검증이 된다면 판별앱의 신뢰도가 올라간다고 볼 수 있습니다.

 

 

- Chipworks Teardown Report

칩웍스의 분해 보고서입니다.

간단한 내용은 이메일만 적으면 받아볼 수 있습니다.

 

 

 

다이 이미지

 

반도체 공학 전공했다면 낯익은 용어들이 보일겁니다.

 

결론은 삼성 14LPE NMOS 성능이 떨어진다는 것.

정확히는 알 수 없으나 Logic과 SRAM의 Gate Pitch 차이가 나는 것과 관계가 있지 않을까 추측.

(Gate Pitch : Logic 78nm, SRAM 84nm)

 

 

- 테크 사이트 벤치마크 분석

몇몇 사이트가 간단한 수준의 배터리 테스트를 했습니다.

그래도 유튜브 동영상같은 것보다는 신뢰할만한 결과들이지요.

(완벽하다고 할 순 없지만요.)

 

1. 탐스 하드웨어

N66AP, N66MAP를 언급하는걸로 봐서는 아이폰6S로 테스트한듯 합니다.

 (링크 : http://www.tomshardware.com/news/iphone-6s-a9-samsung-vs-tsmc,30306.html)

 

결론만 말하면 성능과 배터리는 대부분 차이가 없으며 그래픽 벤치마크에서 삼성제가 배터리 성능(=소비전력)에서 근소하게 앞섭니다.

 

2. Arstechnica

이 테스트 역시 아이폰6S로 했습니다.

(링크 : http://arstechnica.com/apple/2015/10/samsung-vs-tsmc-comparing-the-battery-life-of-two-apple-a9s/)

 

배터리 성능은 대부분 비슷한 수준이나 긱벤치3에서만 삼성제가 22%정도 낮습니다.

 

 

- 해석?

아이폰6S의 쓰로틀링 테스트를 보면 15분 이후로 클럭이 점차적으로 떨어집니다.

(링크 : http://arstechnica.com/apple/2015/09/a-3d-touch-above-the-iphone-6s-and-6s-plus-reviewed/)

테스트에서 긱벤치3 결과가 200분이 넘었으니 이런 경향을 보였을겁니다.

그런데 사실 이것만 갖고 어떤 결론을 낼 수는 없습니다.

삼성제와 TSMC제의 쓰로틀링 경향이 다를 수 있기때문입니다.

 

'긱벤치3 결과가 비슷하니 쓰로틀링 경향도 비슷하지 않겠느냐.' 라고 할 수 있겠으나 긱벤치3 테스트 시간은 길어야 1~2분입니다.

긱벤치3 테스트 결과는 길어야 5분 내외의 클럭 변동만을 반영할 뿐입니다.

그렇다면 삼성제 A9의 긱벤치3 배터리 결과가 안 좋게 나온 것을 놓고 이렇게 가설을 세워볼 수 있습니다.

 

'쓰로틀링(=발열)에서 유리한 삼성제 A9이 더 오래동안 더 높은 클럭을 유지할 수 있고,

그 때문에 긱벤치3를 긴 시간동안 구동할수록 TSMC제 A9보다 더 많은 전력을 소비한다.'

 

이 가설이 맞으려면 TDP, 발열, 소비전력의 개념이 어떻게 엮이는지 명확히 드러나야하는데 그게 쉽지 않아 보입니다.

흔히 고클럭 = 높은 발열 -> 쓰로틀링 심화 의 알고리즘으로 인식되고 있는데,

이런 인식을 바탕으로 위 가설을 해석한다면 이렇게 흘러갈겁니다.

 

 방열 구조, 조건은 삼성, TSMC 모두 크게 차이가 나지 않는다. = TDP는 같다.

-> TDP가 같은데 어떻게 쓰로틀링 특성이 다르게 나타날 수가 있는가.

 

결국 가설이 성립하려면 TDP = 발열 ≠ 소비전력 이라는 수식이 성립해야됩니다.

삼성이 TSMC보다 더 높은 클럭 = 더 높은 소비전력을 유지할 수 있다는 가설이니까요.

설득도 납득도 어려워보이는 가설입니다.