- 삼성이 직접 밝히는 차기 공정에 대한 내용입니다.

(링크 : http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/060100063/060200005/?bpnet&d=1465803445403&rt=nocnt&d=1465838719418)

(7nm가 주인공이지만요. 일본 사이트 아니랄까봐 타이틀부터 손발이 오그라듭니다.)

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- 요약본

53회 DAC2016 (Design Automation Conferrence)에서 발표.

10LPE -> 10LPP 순

 

10LPE

 2014년 PDK 공개.

 2015년 디자인 플로우, 라이브러리, IP 정비.

 2016년 Risk Production 시작.

10LPP

 2016년 PDK 공개.

 2016년 디자인 플로우, 라이브러리, IP 정비.

 2016년말 Risk Production 시작.

 

10nm 양산은 2017년초 예정.

14LPP -> 10LPE : 성능 +10%, 면적 -32%

14LPP -> 10LPP : 성능 +20%, 면적 -32%

 

10nm 시대는 오래 이어질 것.

그 후 단기간동안 ArFi(ArF Immersion) 7nm 제조가 이루어질 것.

Planar 22nm가 14nm FinFET의 중계역할이었던 것과 비슷.

ArFi 7nm에 이어 EUV 7nm가 등장할 것.

ArFi 7nm의 마스크가 80매 정도인데 반해 EUV 7nm의 마스크는 60매 정도로 감소.

구체적인 7nm 로드맵은 밝혀지지 않음.

 

 

 

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