TSMC 28nm 공정 소개.

http://www.chipworks.com/blog/technologyblog/2012/12/11/a-review-of-tsmc-28-nm-process-technology/

TSMC는 파운드리 최초로 28nm 공정 상업파운드리를 시작했습니다.
2012년 1분기, 5% 에 불과했던 매출비중도 4분기는 20% 이상으로 증가했을 것으로 예상됩니다.
(물론 그 바탕에는 AMD, Nvidia 등의 업체들과 소비자의 피눈물이...)

TSMC의 28nm 공정은 크게 4가지입니다.

이 중 현재 나오고있는 것은 HP, HPL, LP 이고, HPM은 실물이 확인되지 않고 있습니다.

- Xilinx XC7K325T Kintex-7
28nm HPL 공정.
High-K Metal Gate (HKMG)
PMOS Gate electrode - TiN (질화티타늄, Ti + N)
NMOS Gate electrode - TiAlN (질화알루미늄티타늄, Ti + Al + N)
Gate dielectric - 2nm SiO₂ + HfO₂
Gate last - 폴리 게이트로 트랜지스터 완성 후, 소스/드레인 공정이 모두 끝내고 폴리게이트를 제거하고 금속으로 대체. 방식 자체는 인텔과 비슷

- Altera 5SGXEA7K2F40C2 Stratix V
28nm HP 공정.
High-K Metal Gate (HKMG)
기본적으로 HP 공정과 동일하지만, HP 공정에 적합하도록 SiO₂ 층이 1.2nm 로 감소.

- AMD 215-0821060
AMD HD7970 Tahiti 코어의 6T-SRAM cell
28nm HP 공정.
High-K Metal Gate (HKMG)
면적은 0.16 µm²
90nm 공정이었던 Radeon X1950 Pro SRAM cell 면적이 0.86 µm²

- Qualcomm MSM8960 Snapdragon S4
28nm LP 공정.
TSMC 28nm 공정 중 처음으로 사용가능했던 공정.
Poly/SiON (Poly-silicon/Silicon Oxy-Nitride)
Gate electrode - Poly-silicon
Gate dielectric - SiON
기본적으로, 40nm LP Shrink + e-SiGe (임베디드 실리콘게르마늄)
e-SiGe - PMOS 성능 향상.