삼성 엑시노스(Exynos) 5410 분해 사진.

http://www.techinsights.com/inside-samsung-galaxy-s4/
http://www.chipworks.com/blog/recentteardowns/2013/04/25/inside-the-samsung-galaxy-s4/

표면에는 메모리, AP 파트넘버가 있습니다.
AP - N5VA1011 1313
메모리 - K3QF2F200C-XGCE

PoP된 메모리부터 제거합니다.

여기는 N5VA101 1314 라고 나오네요.
아무래도 위의 제품과 다른 제품의 사진인가 봅니다.

메모리는 296핀입니다.
이는 현재 확인할 수 있는 삼성의 LPDDR 제품 중에서는 없는 핀수입니다. (2012년 2분기 카탈로그 기준.)
거대한 다이 크기에 맞춰서 따로 공급되는 규격일지도 모르겠네요.

 

Top metal.
CPU와 GPU가 어렴풋이 보입니다.
다이 전체 면적은 10.88mm x 11.37mm = 123.7mm²

ISSCC에서 공개된 다이 이미지로 130~144mm² 라고 추측했었는데 차이가 꽤 있습니다.
(엑시노스5 옥타 (5410) GPU 추정.)
엑시노스 4412 (32mm)의 다이 크기가 78mm² 정도였던데 비해 58% 증가한 크기입니다.

 

Die seal.

전체 다이.

중앙에 Cortex-A15 쿼드코어, 그 좌측에 Cortex-A7 쿼드코어, 그 밑에 SGX544MP3
삼성 28nm LP HKMG 공정.

Cortex-A15 쿼드코어의 크기가 19mm² 인데 SGX544MP3 크기도 이와 비슷해보입니다.
20mm² 수준인듯.

(ISSCC2013에서 삼성이 공개한 자료.)

이제 메모리를 보겠습니다.

X선 촬영 사진.
QDP(Quad Die Package, 4단 적층)임을 확인할 수 있습니다.
4Gb 4개를 적층해서 총 2GB 구성.

 

최종 제품의 파트넘버는 K3QF2F200C-XGCE 인데 이것으로 클럭이나 크기 정보를 확인할 수 없습니다.
메모리 다이에는 K4E4E324EB 라고 있어서 참고가 됩니다.
카탈로그를 보면 K4E4E324EB-EGCE의 클럭이 1066MHz라고 되어있습니다만 이런 자료가 있습니다.

(http://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/platform-memory/lpddr3-system-haswell-ult-validation-results.pdf)
인텔 Haswell 모바일 U-프로세서 레퍼런스 플랫폼에서의 LPDDR3 테스트 결과.
중간에 K4E4E324EB-EGCE 가 있습니다.

Haswell 라인업에서 모바일 U-프로세서 중 일부는 SoC(BGA) 형태로 공급됩니다.
LPDDR3를 사용하고요.
최대 1600MHz까지 지원이고, 위 테스트는 각 메이커의 LPDDR3 1600MHz를 테스트 한 것으로 보입니다.

즉, K4E4E324EB-EGCE는 1600MHz로 동작이 가능하다는 것.
K4E4E324EB를 4개 적층한 K3QF2F200C-XGCE도 1600MHz로 동작할 가능성이 높다고 봅니다.