삼성 갤럭시S3 2GB 메모리는 4단 적층.

http://www.techrepublic.com/photos/cracking-open-the-samsung-galaxy-s-iii-t-mobile/6370767?seq=59&tag=siu-container;thumbnail-view-selector

미국판 갤럭시S3 분해샷입니다. (T-Mobile)
미국판 갤럭시S3는 스냅드래곤S4 탑재에 메모리가 2GB 입니다.

스냅드래곤S4 라는 원칩 솔루션 덕에 칩 구성은 간소합니다.
중앙 좌측의 스냅드래곤S4, 바로 우측에 낸드플래시.
위쪽은 전원관리칩.

스냅드래곤S4 위에 PoP 된 메모리.
K3PE0E000A XGC2

스펙표를 보면 다음과 같습니다.
(2012년 상반기)

- K3PE0E000A XGC2
2GB
4단적층
1066Mbps (갤럭시S3 에서 1066Mbps로 동작하는지는 의문)

국내판이라고 2GB 구현 방식이 다를리가 없습니다.
같은 4단 적층 방식이겠지요.

정황상 30nm급으로 보이네요.

삼성이 20nm급 LPDDR2 양산 발표하면서 공개한 이미지입니다.
K3PE7E700P-XGC2 로 1GB 모듈인데, 위의 스펙표에는 없는 파트넘버입니다.
아직 20nm급 LPDDR2 정보가 구체적으로 나오지는 않은듯 합니다.
(2012년 상반기 자료 기준)

- 2012.07.10 추가
http://www.enuri.com/knowbox/List.jsp?kbno=407147

한국판 갤럭시S3 LTE 모델에도 같은 4단적층입니다. (KT, SKT용으로 보입니다.)
파트넘버만 다르네요.
K3PE0E00M-XGC1 으로, 216-FBGA 12x12 규격입니다.
이는 스냅드래곤S4 버전에 들어갔던 K3PE7E700P-XGC2 의 220-FBGA 14x14 규격과 차이가 있는데,
스냅드래곤과 엑시노스의 규격 차이에서 기인한 것으로 보입니다.

CMC221S 를 비롯한 한국판 LTE 모델의 플랫폼에 대한건 따로 다루겠습니다.